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讲座题目:新型半导体材料载流子输运调控与器件设计


报告题目:新型半导体材料载流子输运调控与器件设计

报告学者👩🏼‍🦱:林乾乾 教授

报告者单位🔈:武汉大学

个人简介:

林乾乾,武汉大学物理科学与技术万泰娱乐教授/博士生导师👳🏽‍♂️,博士毕业于澳大利亚昆士兰大学有机光电子中心🍵,之后在英国牛津大学物理系从事博士后研究。2017年回国入职武汉大学物理科学与技术万泰娱乐,获批国家高层次海外引进人才青年项目、湖北省青年百人等荣誉☃️。主要从事半导体材料光电表征和器件的研究🥏,包括瞬态光谱🤚🏻、载流子动力学和缺陷表征,光电探测器😴,薄膜太阳能电池和硫化物半导体等🏦。在Nat. Photonics (2), Nat. Energy (2), Appl. Phys. Rev. (3), Nat. Commun. (3), Matter, Adv. Mater. (2), Adv. Energy Mater. (2), Adv. Funct. Mater. (3)和ACS Energy Lett.等期刊发表SCI论文90余篇🧑‍⚕️,文章总引用6400余次🪶,申请国内外专利十余项。

报告摘要🪯:

近几年,有机半导体🧺、硫化物🤸🏿‍♀️、杂化钙钛矿等新型半导体材料被广泛研究。由于其柔性、廉价和性能容易被调控等优点,基于新型半导体的光电器件也取得了日新月异的进展,广泛应用于薄膜太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应晶体管等。相比于硅、锗和砷化镓等传统的无机半导体↩️,新型半导体材料一般更无序和复杂多变👨🏼‍🔧,对其光电性能还缺乏系统性认识,在半导体器件上的工作原理也存在一些争议🙆🏽‍♂️,对于结构性能关系的研究和器件设计的探索也显得极为迫切和重要👩🏽‍🍳。本次报告✊🏼,主要介绍基于泵浦-探测原理的瞬态微波光电导(TRMC)、深能级缺陷谱(DLTS)等技术应用于新型半导体的载流子动力学研究📋,主要关注于半导体器件和薄膜中载流子的产生、输运、复合、注入和抽取👨🏼‍🚒⚖️,还有界面层的调控等核心过程🤷🏽。通过对这些表征结果的分析和理解🤽🏻‍♀️😊,进一步应用于光电器件的设计🤜🏼、模拟和优化上👩‍🦽‍➡️。

 

报告时间🐽:2024年11月15日(周五) 下午14:10-15:10

会议地址:7127会议室

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